Hãy ngừng lãng phí năng lượng trong quá trình chế tạo wafer đi! Thành thật mà nói, việc lãng phí năng lượng trong quá trình này chẳng khác nào vứt tiền qua cửa sổ. Khi sử dụng những chiếc đèn hồng ngoại công suất cao để sấy hoặc xử lý wafer, một lượng lớn năng lượng bị lãng phí – hoặc là tỏa ra dưới dạng nhiệt thải, hoặc là bị phản xạ trở lại. Điều này thật đáng thất vọng.
Chúng tôi đã tìm ra cách giải quyết vấn đề này. Bí quyết nằm ở lớp phủ vàng có độ tinh khiết cao trên bề mặt của các bộ phận phản xạ ánh sáng.
Tại sao lại chọn vàng? Dù các bộ phận phản xạ bằng nhôm cũng có thể hoạt động được, nhưng chúng kém hiệu quả khi xử lý bức xạ hồng ngoại. Vàng thì khác – nó có khả năng phản xạ tốt các tia hồng ngoại có bước sóng dài.
Hãy tưởng tượng như thế này: thay vì các photon bị phản xạ trở lại bên trong đèn và làm nóng những vật thể không cần được làm nóng, vàng sẽ đẩy chúng trực tiếp vào wafer. Nhờ đó, bạn có thể nhận được lượng năng lượng cần thiết một cách hiệu quả hơn, mà không cần phải tăng điện áp lên mức cao nhất.
Lưu ý về nhiệt độ Khi tập trung một lượng năng lượng lớn vào một điểm nhỏ, nhiệt độ sẽ tăng lên rất nhanh. Bạn không thể phớt lờ giới hạn của thiết bị được. Bạn cần đảm bảo rằng hệ thống làm mát của mình đủ mạnh để kiểm soát nhiệt độ. Nếu hệ thống trao đổi nhiệt không thể kiểm soát được nhiệt độ môi trường, bạn sẽ gặp vấn đề với các bộ phận cố định wafer hoặc các sợi dây điện bị căng quá mức. Đây là một công cụ mạnh mẽ, vì vậy bạn cần xử lý nó một cách cẩn thận.
Cách lắp đặt Chúng tôi thiết kế chúng sao cho chúng có thể thay thế dễ dàng cho các bộ phận phản xạ hồng ngoại thông thường. Bạn không cần phải tái thiết toàn bộ hệ thống của mình.
Mục tiêu rất đơn giản: giảm lượng điện tiêu thụ trên mỗi wafer, mà vẫn duy trì tốc độ sản xuất như trước.
Bạn sẽ thấy sự khác biệt trong hóa đơn tiền điện ngay thôi. Đúng là lớp phủ vàng tốn nhiều chi phí ban đầu – nhưng đối với các nhà máy sản xuất với quy mô lớn, việc tiết kiệm điện năng và kiểm soát tốt hơn nhiệt độ sẽ mang lại lợi ích lớn.
Điều quan trọng là phải sử dụng từng watt năng lượng một cách hiệu quả trước khi nó tác động lên wafer.